Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SI2315BDS-T1-GE3 4258100

VISHAYSI2315BDS-T1-GE3Transistor: P-MOSFET

Case SOT23Drain current -3ADrain-source voltage -12VGate charge 15nC
Mã nhà sản xuất
SI2315BDS-T1-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SI2315BDS-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI2315BDS-T1-GE3
Type of transistor P-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -12V
Drain current -3A
Pulsed drain current -12A
Power dissipation 1.19W
Case SOT23
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 0.1Ω
Mounting SMD
Gate charge 15nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.024 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare