Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SI2316BDS-T1-E3

VISHAYSI2316BDS-T1-E3Transistor: N-MOSFET

Case SOT23Drain current 4.5ADrain-source voltage 30VGate charge 9.6nC
Mã nhà sản xuất
SI2316BDS-T1-E3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SI2316BDS-T1-E3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 20A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI2316BDS-T1-E3
Type of transistor N-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 30V
Drain current 4.5A
Pulsed drain current 20A
Power dissipation 1.25W
Case SOT23
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 80mΩ
Mounting SMD
Gate charge 9.6nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare