Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SI2319DS-T1-E3 1838990

VISHAYSI2319DS-T1-E3Transistor: P-MOSFET

Case SOT23Drain current -2.4ADrain-source voltage -40VGate charge 17nC
Mã nhà sản xuất
SI2319DS-T1-E3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SI2319DS-T1-E3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI2319DS-T1-E3
Type of transistor P-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -40V
Drain current -2.4A
Pulsed drain current -12A
Power dissipation 0.8W
Case SOT23
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 0.13Ω
Mounting SMD
Gate charge 17nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.026 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare