Skip to content

VISHAYSI2337DS-T1-E3Transistor: P-MOSFET

Case SOT23Drain current -1.75ADrain-source voltage -80VGate charge 17nC
Mã nhà sản xuất
SI2337DS-T1-E3
Thương hiệu
Mã kho
SI2337DS-T1-E3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI2337DS-T1-E3
Type of transistor P-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -80V
Drain current -1.75A
Pulsed drain current -7A
Power dissipation 1.6W
Case SOT23
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 0.27Ω
Mounting SMD
Gate charge 17nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare