Skip to content

VISHAYSI2342DS-T1-GE3Transistor: N-MOSFET

Case SOT23Drain current 6ADrain-source voltage 8VGate charge 15.8nC
Mã nhà sản xuất
SI2342DS-T1-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SI2342DS-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI2342DS-T1-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 8V
Drain current 6A
Pulsed drain current 30A
Power dissipation 1.6W
Case SOT23
Gate-source voltage ±5V
On-state resistance 17mΩ
Mounting SMD
Gate charge 15.8nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.024 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare