SI2343DS-T1-E3

VISHAYSI2343DS-T1-E3Transistor: P-MOSFET

Case SOT23Drain current -4ADrain-source voltage -30VGate charge 21nC

Mã nhà sản xuất

SI2343DS-T1-E3

Thương hiệu

Mã kho

SI2343DS-T1-E3

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	VISHAY
Manufacturer Part No.	SI2343DS-T1-E3
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30V
Drain current	-4A
Pulsed drain current	-15A
Power dissipation	1.25W
Case	SOT23
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	86mΩ
Mounting	SMD
Gate charge	21nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare