SI3430DV-T1-E3

VISHAYSI3430DV-T1-E3Transistor: N-MOSFET

Case SC74Drain current 2.4ADrain-source voltage 100VGate charge 8.2nC

Mã nhà sản xuất

SI3430DV-T1-E3

Thương hiệu

Mã kho

SI3430DV-T1-E3

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.4A; Idm: 8A; 2W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	VISHAY
Manufacturer Part No.	SI3430DV-T1-E3
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100V
Drain current	2.4A
Pulsed drain current	8A
Power dissipation	2W
Case	SC74, TSOP6
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	0.185Ω
Mounting	SMD
Gate charge	8.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare