Skip to content

VISHAYSI3443CDV-T1-GE3Transistor: P-MOSFET

Case SC74Drain current -4.6ADrain-source voltage -20VGate charge 12.4nC
Mã nhà sản xuất
SI3443CDV-T1-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SI3443CDV-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI3443CDV-T1-GE3
Type of transistor P-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -20V
Drain current -4.6A
Pulsed drain current -20A
Power dissipation 3.2W
Case SC74, TSOP6
Gate-source voltage ±12V
On-state resistance 0.1Ω
Mounting SMD
Gate charge 12.4nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare