SI3456DDV-T1-E3

VISHAYSI3456DDV-T1-E3Transistor: N-MOSFET

Case SC74Drain current 6.3ADrain-source voltage 30VGate charge 9nC

Mã nhà sản xuất

SI3456DDV-T1-E3

Thương hiệu

Mã kho

SI3456DDV-T1-E3

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 20A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	VISHAY
Manufacturer Part No.	SI3456DDV-T1-E3
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30V
Drain current	6.3A
Pulsed drain current	20A
Power dissipation	2.7W
Case	SC74, TSOP6
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	50mΩ
Mounting	SMD
Gate charge	9nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare