Skip to content

VISHAYSI3458BDV-T1-GE3Transistor: N-MOSFET

Case SC74Drain current 4.1ADrain-source voltage 60VGate charge 11nC
Mã nhà sản xuất
SI3458BDV-T1-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SI3458BDV-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 10A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI3458BDV-T1-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 60V
Drain current 4.1A
Pulsed drain current 10A
Power dissipation 3.3W
Case SC74, TSOP6
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 128mΩ
Mounting SMD
Gate charge 11nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.026 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare