SI3469DV-T1-E3

VISHAYSI3469DV-T1-E3Transistor: P-MOSFET

Case SC74Drain current -6.7ADrain-source voltage -20VGate charge 30nC

Mã nhà sản xuất

SI3469DV-T1-E3

Thương hiệu

Mã kho

SI3469DV-T1-E3

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	VISHAY
Manufacturer Part No.	SI3469DV-T1-E3
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-6.7A
Pulsed drain current	-25A
Power dissipation	2W
Case	SC74, TSOP6
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	51mΩ
Mounting	SMD
Gate charge	30nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare