Skip to content

VISHAYSI3932DV-T1-GE3Transistor: N-MOSFET x2

Case SC74Drain current 3.7ADrain-source voltage 30VGate charge 6nC
Mã nhà sản xuất
SI3932DV-T1-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SI3932DV-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.7A; Idm: 15A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI3932DV-T1-GE3
Type of transistor N-MOSFET x2
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 30V
Drain current 3.7A
Pulsed drain current 15A
Power dissipation 1.4W
Case SC74, TSOP6
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 73mΩ
Mounting SMD
Gate charge 6nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare