Skip to content

VISHAYSI4116DY-T1-E3Transistor: N-MOSFET

Case SO8Drain current 18ADrain-source voltage 25VGate charge 56nC
Mã nhà sản xuất
SI4116DY-T1-E3
Thương hiệu
Mã kho
SI4116DY-T1-E3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 5W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI4116DY-T1-E3
Type of transistor N-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 25V
Drain current 18A
Pulsed drain current 50A
Power dissipation 5W
Case SO8
Gate-source voltage ±12V
On-state resistance 11.5mΩ
Mounting SMD
Gate charge 56nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare