VISHAYSI4425FDY-T1-GE3Transistor: P-MOSFET

Channel Mode EnhancementChannel Type PMaximum Continuous Drain Current 18.3AMaximum Gate Threshold Voltage 2.2V

Mã nhà sản xuất

SI4425FDY-T1-GE3

Thương hiệu

Mã kho

200-6797

Liên hệ

The Vishay Si4425FDY-T1-GE3 is a P-channel 30V (D-S) MOSFET. TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET 100% Rg tested

The Vishay Si4425FDY-T1-GE3 is a P-channel 30V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET

100% Rg tested

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	Vishay
Manufacturer Part No.	Si4425FDY-T1-GE3
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	18.3A
Maximum Drain Source Voltage	30V
Series	TrenchFET® Gen IV
Package Type	SO-8
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	0.016 Ω, 0.0095 Ω
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.2V
Number of Elements per Chip	1

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Added to your cart: