Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SI4435FDY-T1-GE3 3470708

VISHAYSI4435FDY-T1-GE3Transistor: P-MOSFET

Case SO8Drain current -12.6ADrain-source voltage -30VGate charge 28nC
Mã nhà sản xuất
SI4435FDY-T1-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SI4435FDY-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI4435FDY-T1-GE3
Type of transistor P-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -30V
Drain current -12.6A
Pulsed drain current -32A
Power dissipation 4.8W
Case SO8
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 30mΩ
Mounting SMD
Gate charge 28nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.165 g

Tài liệu: Documentation EN · Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare