Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SI4447DY-T1-GE3

VISHAYSI4447DY-T1-GE3Transistor: P-MOSFET

Case SO8Drain current -4.5ADrain-source voltage -40VGate charge 14nC
Mã nhà sản xuất
SI4447DY-T1-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SI4447DY-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.5A; Idm: -30A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI4447DY-T1-GE3
Type of transistor P-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -40V
Drain current -4.5A
Pulsed drain current -30A
Power dissipation 2W
Case SO8
Gate-source voltage ±16V
On-state resistance 72mΩ
Mounting SMD
Gate charge 14nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare