SIHB23N60E-GE3 2400377

VISHAYSIHB23N60E-GE3Transistor: N-MOSFET

Case D2PAKDrain current 15ADrain-source voltage 600VGate charge 95nC

Mã nhà sản xuất

SIHB23N60E-GE3

Thương hiệu

Mã kho

SIHB23N60E-GE3

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 227W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	VISHAY
Manufacturer Part No.	SIHB23N60E-GE3
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	600V
Drain current	15A
Pulsed drain current	63A
Power dissipation	227W
Case	D2PAK, TO263
Gate-source voltage	±30V
On-state resistance	158mΩ
Mounting	SMD
Gate charge	95nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	2 g
Import code no.	8541290000

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare