Skip to content

VISHAYSIHB24N65EF-GE3Transistor: N-MOSFET

Case D2PAKDrain current 15ADrain-source voltage 650VGate charge 122nC
Mã nhà sản xuất
SIHB24N65EF-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SIHB24N65EF-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 65A; 250W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIHB24N65EF-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 650V
Drain current 15A
Pulsed drain current 65A
Power dissipation 250W
Case D2PAK, TO263
Gate-source voltage ±30V
On-state resistance 156mΩ
Mounting SMD
Gate charge 122nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 2 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare