Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SIHB35N60E-GE3

VISHAYSIHB35N60E-GE3Transistor: N-MOSFET

Case D2PAKDrain current 20ADrain-source voltage 600VGate charge 132nC
Mã nhà sản xuất
SIHB35N60E-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SIHB35N60E-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIHB35N60E-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 600V
Drain current 20A
Pulsed drain current 80A
Power dissipation 250W
Case D2PAK, TO263
Gate-source voltage ±30V
On-state resistance 94mΩ
Mounting SMD
Gate charge 132nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 2 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare