Skip to content

VISHAYSIHD186N60EF-GE3Transistor: N-MOSFET

Case DPAKDrain current 12ADrain-source voltage 600VGate charge 32nC
Mã nhà sản xuất
SIHD186N60EF-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SIHD186N60EF-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 40A; 156W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIHD186N60EF-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 600V
Drain current 12A
Pulsed drain current 40A
Power dissipation 156W
Case DPAK, TO252
Gate-source voltage ±30V
On-state resistance 201mΩ
Mounting SMD
Gate charge 32nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 2 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare