Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SIHD4N80E-GE3 2932924

VISHAYSIHD4N80E-GE3Transistor: N-MOSFET

Case DPAKDrain current 2.7ADrain-source voltage 800VGate charge 32nC
Mã nhà sản xuất
SIHD4N80E-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SIHD4N80E-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIHD4N80E-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 800V
Drain current 2.7A
Pulsed drain current 11A
Power dissipation 69W
Case DPAK, TO252
Gate-source voltage ±30V
On-state resistance 1.27Ω
Mounting SMD
Gate charge 32nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 2 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare