Skip to content

VISHAYSIHF12N65E-GE3Transistor: N-MOSFET

Case TO220FPDrain current 8ADrain-source voltage 650VGate charge 70nC
Mã nhà sản xuất
SIHF12N65E-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SIHF12N65E-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIHF12N65E-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 650V
Drain current 8A
Pulsed drain current 28A
Power dissipation 33W
Case TO220FP
Gate-source voltage ±30V
On-state resistance 0.38Ω
Mounting THT
Gate charge 70nC
Kind of package tube
Kind of channel enhancement
Gross weight 2 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare