Skip to content

VISHAYSIHF6N65E-GE3Transistor: N-MOSFET

Case TO220FPDrain current 5ADrain-source voltage 650VGate charge 48nC
Mã nhà sản xuất
SIHF6N65E-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SIHF6N65E-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIHF6N65E-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 650V
Drain current 5A
Pulsed drain current 18A
Power dissipation 31W
Case TO220FP
Gate-source voltage ±30V
On-state resistance 0.6Ω
Mounting THT
Gate charge 48nC
Kind of package tube
Kind of channel enhancement
Gross weight 2 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare