Skip to content

VISHAYSIHF840S-GE3Transistor: N-MOSFET

Case D2PAKDrain current 5.1ADrain-source voltage 500VGate charge 63nC
Mã nhà sản xuất
SIHF840S-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SIHF840S-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIHF840S-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 500V
Drain current 5.1A
Pulsed drain current 32A
Power dissipation 125W
Case D2PAK, TO263
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 0.85Ω
Mounting SMD
Gate charge 63nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 2 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare