Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về

VISHAYSIHFBE30L-GE3Transistor: N-MOSFET

Case I2PAKDrain current 2.6ADrain-source voltage 800VGate charge 78nC
Mã nhà sản xuất
SIHFBE30L-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SIHFBE30L-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIHFBE30L-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 800V
Drain current 2.6A
Pulsed drain current 16A
Power dissipation 125W
Case I2PAK, TO262
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 3Ω
Mounting THT
Gate charge 78nC
Kind of package tube
Kind of channel enhancement
Gross weight 2 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare