Skip to content

VISHAYSIHG80N60EF-GE3Transistor: N-MOSFET

Case TO247ACDrain current 51ADrain-source voltage 600VGate charge 400nC
Mã nhà sản xuất
SIHG80N60EF-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SIHG80N60EF-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIHG80N60EF-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 600V
Drain current 51A
Pulsed drain current 254A
Power dissipation 520W
Case TO247AC
Gate-source voltage ±30V
On-state resistance 32mΩ
Mounting THT
Gate charge 400nC
Kind of package tube
Kind of channel enhancement
Gross weight 5 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare