Skip to content

VISHAYSIHP24N80AE-GE3Transistor: N-MOSFET

Case TO220ABDrain current 13ADrain-source voltage 800VGate charge 89nC
Mã nhà sản xuất
SIHP24N80AE-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SIHP24N80AE-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIHP24N80AE-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 800V
Drain current 13A
Pulsed drain current 51A
Power dissipation 208W
Case TO220AB
Gate-source voltage ±30V
On-state resistance 184mΩ
Mounting THT
Gate charge 89nC
Kind of package tube
Kind of channel enhancement
Gross weight 1.965 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare