Skip to content

VISHAYSIJ494DP-T1-GE3Transistor: N-MOSFET

Case PowerPAK® SO8Drain current 36.8ADrain-source voltage 150VGate charge 31nC
Mã nhà sản xuất
SIJ494DP-T1-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SIJ494DP-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 36.8A; Idm: 100A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIJ494DP-T1-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 150V
Drain current 36.8A
Pulsed drain current 100A
Power dissipation 69.4W
Case PowerPAK® SO8
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 27.2mΩ
Mounting SMD
Gate charge 31nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare