Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SIJH112E-T1-GE3 3639657

VISHAYSIJH112E-T1-GE3Transistor: N-MOSFET

Case PowerPAK® 8x8LDrain current 225ADrain-source voltage 100VGate charge 160nC
Mã nhà sản xuất
SIJH112E-T1-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SIJH112E-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 225A; Idm: 300A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIJH112E-T1-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 100V
Drain current 225A
Pulsed drain current 300A
Power dissipation 333W
Case PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 3.6mΩ
Mounting SMD
Gate charge 160nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare