Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SIR401DP-T1-GE3 787-9342

VISHAYSIR401DP-T1-GE3Transistor: P-MOSFET

Channel Mode EnhancementChannel Type PMaximum Continuous Drain Current 50AMaximum Power Dissipation 39W
Mã nhà sản xuất
SIR401DP-T1-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
787-9342
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Vishay
Manufacturer Part No. SIR401DP-T1-GE3
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 50A
Maximum Drain Source Voltage 20V
Series TrenchFET
Package Type PowerPAK SO-8
Mounting Type Surface Mount
Pin Count 8
Maximum Drain Source Resistance 7.7mΩ
Channel Mode Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage 0.6V
Maximum Power Dissipation 39W
Transistor Configuration Single
Maximum Gate Source Voltage -12 V, +12 V
Number of Elements per Chip 1
Length 6.25mm
Width 5.26mm
Maximum Operating Temperature +150°C
Typical Gate Charge @ Vgs 205 nC @ 10 V
Transistor Material Si
Height 1.12mm
Minimum Operating Temperature -55°C

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare