Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về

VISHAYSIR770DP-T1-GE3Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky

Case PowerPAK® SO8Drain current 8ADrain-source voltage 30VGate charge 21nC
Mã nhà sản xuất
SIR770DP-T1-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SIR770DP-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIR770DP-T1-GE3
Type of transistor N-MOSFET x2 + Schottky
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 30V
Drain current 8A
Pulsed drain current 35A
Power dissipation 17.8W
Case PowerPAK® SO8
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 25mΩ
Mounting SMD
Gate charge 21nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare