Skip to content

VISHAYSQ3427EV-T1_GE3Transistor: P-MOSFET

Case SC74Drain current -5.3ADrain-source voltage -60VGate charge 22nC
Mã nhà sản xuất
SQ3427EV-T1_GE3
Thương hiệu
Mã kho
SQ3427EV-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A; SQ3427EV-T1-GE3

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SQ3427EV-T1_GE3
Type of transistor P-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -60V
Drain current -5.3A
Pulsed drain current -21A
Power dissipation 5W
Case SC74, TSOP6
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 178mΩ
Mounting SMD
Gate charge 22nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.039 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare