Skip to content

VISHAYSQA405CEJW-T1_GE3Transistor: P-MOSFET

Drain current -9ADrain-source voltage -40VGate charge 34nCGate-source voltage ±20V
Mã nhà sản xuất
SQA405CEJW-T1_GE3
Thương hiệu
Mã kho
SQA405CEJW-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -9A; Idm: -36A; SQA405CEJW-T1-GE3

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SQA405CEJW-T1_GE3
Type of transistor P-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -40V
Drain current -9A
Pulsed drain current -36A
Power dissipation 13.6W
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 72.7mΩ
Mounting SMD
Gate charge 34nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare