Skip to content

VISHAYSQD30N05-20L_GE3Transistor: N-MOSFET

Case DPAKDrain current 30ADrain-source voltage 55VGate charge 18nC
Mã nhà sản xuất
SQD30N05-20L_GE3
Thương hiệu
Mã kho
SQD30N05-20L-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 55V; 30A; Idm: 120A; 50W; SQD30N05-20L-GE3

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SQD30N05-20L_GE3
Type of transistor N-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 55V
Drain current 30A
Pulsed drain current 120A
Power dissipation 50W
Case DPAK, TO252
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 43mΩ
Mounting SMD
Gate charge 18nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare